NDS9952ACT-ND 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于高功率和高频率应用,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于工业控制、电源管理和射频(RF)放大等场景。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):1.5A
最大集电极-发射极电压(Vce):40V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220AB
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110-800
NDS9952ACT-ND是一款高性能的NPN晶体管,具备较高的电流容量和稳定的电气性能。其主要特点之一是能够在较高的频率下工作,适合用于射频放大器和开关电路。晶体管的封装形式为TO-220AB,具有良好的散热能力,适用于需要高功率处理能力的应用场景。
该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,使其在不同的偏置条件下都能保持良好的放大性能。同时,其最大集电极电流为1.5A,能够在较大的负载条件下稳定工作。此外,NDS9952ACT-ND的最大集电极-发射极电压为40V,使其在高压环境下依然能够可靠运行。
该器件的热稳定性也经过优化,能够在高温环境下保持良好的性能,适用于需要长期运行的工业设备和电源管理系统。其100MHz的增益带宽积确保了在高频应用中的响应速度和稳定性,适合用于射频信号放大和处理。此外,NDS9952ACT-ND的封装设计便于安装和散热,适合用于需要高可靠性和高效能的电子系统。
NDS9952ACT-ND广泛应用于各种电子设备和系统中,特别是在需要高功率和高频处理能力的场景中。它常用于电源管理电路中的开关元件,能够有效地控制大电流负载。此外,该晶体管也适用于射频放大器的设计,能够在高频信号处理中提供稳定的增益和低失真。
在工业控制领域,NDS9952ACT-ND可用于驱动继电器、电机和其他高功率设备,其高电流容量和良好的热稳定性确保了系统的可靠运行。同时,该晶体管也适用于音频放大器和信号处理电路,能够提供清晰的音频输出和稳定的信号增益。
由于其封装形式便于散热,NDS9952ACT-ND也常用于电源供应器、稳压器和DC-DC转换器等应用中。其在高压环境下的稳定性能使其成为许多工业设备和自动化系统中的关键元件。
BC547, 2N3904, 2N2222