NDS8936-NL是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,采用SOT-23封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特点,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及信号切换等场景中。
这款MOSFET在设计上特别优化了其导通电阻(Rds(on))性能,从而能够显著降低功率损耗并提升效率。此外,它还具备良好的电气特性和可靠的耐用性,适合于需要高效能与小尺寸解决方案的应用场合。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±10V
连续漏极电流:0.53A
导通电阻(Rds(on)):1.7Ω(典型值,在Vgs=4.5V时)
总功耗:340mW
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 小型化SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合紧凑型设计。
3. 高开关速度,适用于高频应用环境。
4. 出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 可靠性高,适合长时间运行的关键应用场景。
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 信号电平转换及保护电路。
5. 各类消费类电子产品中的小型化电源管理方案。
6. 数据通信接口保护电路。
7. 便携式设备如智能手机、平板电脑和其他手持终端中的电源控制部分。
NDS8937NL, BSS138, SI2302DS