NDS358N 时间：2025/12/29 14:42:08 阅读：13

NDS358N是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor生产。该器件适用于高频率开关应用，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，常用于电源管理和DC-DC转换器等电路中。该MOSFET采用TO-92封装，适合低成本、高性能的电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

特性

NDS358N具有低导通电阻，使得在开关过程中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其快速开关特性适用于高频应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的功率控制电路。此外，该器件具备较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于采用TO-92封装，NDS358N在PCB布局中占用空间小，适合紧凑型设计。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持多种控制电路的兼容性。其设计也增强了抗静电能力，提高了器件在生产、装配和使用过程中的稳定性。NDS358N的参数一致性好，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。

应用

NDS358N广泛应用于各种低功率开关电路中，例如便携式电子设备的电源管理、DC-DC升压/降压转换器、LED驱动电路、负载开关控制以及电池充电管理电路。此外，它还可用于信号切换、逻辑控制和电机驱动等应用场景。由于其良好的热性能和高频响应能力，NDS358N特别适合于需要高效能和小尺寸封装的嵌入式系统设计。