NDS356PD87Z是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用SOT-23封装形式,具有低导通电阻和快速开关特性,适合于高效率、空间受限的设计场景。
这款MOSFET的制造工艺优化了其在低压应用中的表现,能够提供出色的性能和可靠性,同时其小型化的封装使其成为便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻(Rds(on)):0.7Ω(典型值,Vgs=4.5V时)
总功耗:420mW
工作结温范围:-55℃至+150℃
NDS356PD87Z的主要特性包括:
1. 低导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间。
3. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
4. 高浪涌电流能力,增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 工作温度范围广,能够在严苛环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代设计要求。
NDS356PD87Z适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 电池保护电路,如过流和短路保护。
4. 电机驱动控制,用于小型直流电机或步进电机。
5. 负载开关和背光驱动电路。
6. 信号切换和逻辑电平转换。
NDS356AN, BSS138, FDN340P