时间：2025/8/25 3:51:18
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NDS355N/355 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热性能，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。该 MOSFET 采用 DPAK（TO-252）封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：60A
导通电阻 RDS(on)：最大 5.5mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
NDS355N/355 具有优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流，能够满足高功率负载的需求。此外，其 DPAK 封装具有良好的散热能力，有助于在高功率密度设计中保持稳定工作温度。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。
NDS355N/355 的栅极驱动电压范围为 ±20V，通常在 10V 栅极电压下工作以实现最佳导通性能。其内部结构设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，适合用于各种电源拓扑结构。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持可靠工作。此外，其封装设计支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 布局。
NDS355N/355 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源供应器和工业控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于同步整流、电源分配系统以及高效率电源模块设计。此外，该 MOSFET 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。
NDS355AN, NDS351AN, FDP6670, SiR340DP
