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NDS355N/355 发布时间 时间:2025/8/25 3:51:18 查看 阅读:30

NDS355N/355 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优异的热性能,适用于如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。该 MOSFET 采用 DPAK(TO-252)封装,具有良好的散热性能,适合在高功率密度设计中使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极-源极电压(VDS):30V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID)@25°C:60A
  导通电阻 RDS(on):最大 5.5mΩ @ VGS = 10V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

NDS355N/355 具有优异的电气和热性能,适用于高效率功率转换应用。其低导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗,提高系统效率。该 MOSFET 支持高达 60A 的连续漏极电流,能够满足高功率负载的需求。此外,其 DPAK 封装具有良好的散热能力,有助于在高功率密度设计中保持稳定工作温度。该器件还具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和同步整流器。
  NDS355N/355 的栅极驱动电压范围为 ±20V,通常在 10V 栅极电压下工作以实现最佳导通性能。其内部结构设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡,适合用于各种电源拓扑结构。该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持可靠工作。此外,其封装设计支持表面贴装工艺,便于自动化生产和高密度 PCB 布局。

应用

NDS355N/355 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统(BMS)、电源供应器和工业控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于同步整流、电源分配系统以及高效率电源模块设计。此外,该 MOSFET 还可用于汽车电子系统,如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。

替代型号

NDS355AN, NDS351AN, FDP6670, SiR340DP

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