时间：2025/8/24 8:59:50
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NDS355AN355AI 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，适用于高效率的电源转换系统。该器件封装于DFN5×6或类似的小型封装中，具备良好的热性能和电流承载能力。NDS355AN355AI常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用中。
类型：功率MOSFET
通道类型：双N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN5×6
NDS355AN355AI采用了先进的Trench MOSFET技术，使得导通电阻更低，开关损耗更小，从而提高了整体效率。其双N沟道结构设计使其适用于同步整流、双向负载开关等多种应用场景。
该器件的封装设计具有良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。此外，其低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频操作环境。
在可靠性方面，NDS355AN355AI具有较高的热稳定性和抗冲击能力，适合在严苛的工业环境和汽车电子系统中使用。其符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
NDS355AN355AI广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
? 同步整流型DC-DC转换器
? 电池供电系统的负载开关
? 电机驱动和控制电路
? 汽车电子系统中的电源管理模块
? 工业自动化设备的功率控制单元
Si3442DV、NDS351AN、NDS355AN、FDS6675、FDS6679
