时间：2025/5/8 10:02:15
阅读：6
NDS332P-NL是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率管理应用。该器件采用SOT-23封装，具有小尺寸、高效率和低导通电阻的特点，广泛用于消费电子、通信设备及便携式电子产品中。
其设计目的是提供高性能的开关功能，同时降低功耗并提高系统可靠性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±15V
连续漏极电流：0.48A
导通电阻：1.9Ω
栅极电荷：6nC
总电容：12pF
工作温度范围：-55℃至150℃
NDS332P-NL具备较低的导通电阻，在特定条件下能够显著减少功耗，从而提升整体效率。
由于采用了SOT-23小型封装，它非常适合空间受限的设计场景。
此器件还具有快速开关速度，可以有效减少开关损耗，并且拥有较高的工作温度范围，保证了在恶劣环境下的稳定运行。
NDS332P-NL常用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路、背光驱动以及各类需要高效功率控制的应用中。
此外，它也广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等便携式电子设备中的电源管理模块。
NDS352AP, BSS123, FDN327N
