时间：2025/12/29 13:41:23
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NDS331是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适合用于高效率的DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：20V（最大值）
连续漏极电流(ID)：8.5A（在25°C）
导通电阻(RDS(on))：19mΩ（典型值，VGS=10V）
阈值电压(VGS(th))：1.1V至2.5V
封装形式：TSOP-6
工作温度范围：-55°C至150°C
NDS331采用先进的Trench MOSFET工艺，具有较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得在高频开关应用中具有优异的性能表现。其封装形式为TSOP-6，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该器件还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较为恶劣的环境下稳定运行。NDS331的设计兼顾了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其成为高效电源系统中的理想选择。
此外，NDS331的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，适用于多种栅极驱动器配置。该器件还具备较强的雪崩能量承受能力，提高了在电压突变或负载突变情况下的可靠性。
NDS331常用于电源管理系统、同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及汽车电子系统中。由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适用于需要高效能和小体积封装的便携式电子产品和嵌入式系统。此外，在LED驱动电路、电机控制和功率放大器中也有广泛的应用场景。
NDS332, NDS351, Si3443, AO4406
