NDR4003 时间：2025/12/29 14:36:44 阅读：27

NDR4003 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。NDR4003 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供优异的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：110A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V（典型值）
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

NDR4003 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其导通电阻在 VGS = 10V 时仅为 4.5mΩ，使得该器件在高电流应用中仍能保持良好的热性能。
　　该 MOSFET 支持高达 110A 的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。此外，NDR4003 的最大漏源电压为 30V，能够满足多种低压功率应用的需求。
　　采用 PowerPAK SO-8 封装，NDR4003 在小型化设计中表现出色，同时具备良好的散热性能。该封装形式有助于减少 PCB 空间占用，并提高装配效率。
　　其栅极阈值电压较低（典型值为 2.0V），使得该器件可以与多种驱动电路兼容，包括低压控制器和逻辑 IC。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　NDR4003 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。

应用

NDR4003 主要应用于需要高电流、低导通损耗和高效率的功率管理系统。典型应用包括服务器电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备。
　　在服务器和通信设备的电源系统中，NDR4003 常用于同步整流和功率分配电路，以提高转换效率并降低热量产生。
　　在电机控制和机器人系统中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路和 PWM 控制，提供高效的电机驱动解决方案。
　　此外，NDR4003 也适用于电池供电设备，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，用于实现高效的电源管理与切换控制。