NDR315 时间：2025/12/29 14:29:36 阅读：13

NDR315 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适合在高电流和高频条件下工作。其封装形式为 DPAK（TO-252），有助于良好的散热和安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs=10V 时最大为 2.8mΩ，典型值为 2.0mΩ
　　栅极电荷（Qg）：典型值为 45nC
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

NDR315 具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了优异的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作。该器件的高电流承载能力使其能够胜任大功率应用。此外，NDR315 提供了快速的开关性能，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器，减少开关损耗并提高整体系统性能。DPAK 封装不仅便于安装，还能提供良好的散热性能，确保器件在高负载条件下的稳定性。
　　NDR315 的设计考虑了耐用性和长期可靠性，具有高雪崩能量耐受能力，适合在恶劣的电气环境中使用。其栅极驱动要求较低，能够与标准驱动电路兼容，降低设计复杂度。器件还具备良好的短路和过热保护特性，确保在异常工况下仍能保持安全运行。

应用

NDR315 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器和电源管理模块。它也可用于工业自动化设备、电源适配器、UPS 系统以及汽车电子中的功率控制部分。由于其出色的性能和可靠性，NDR315 在通信设备和服务器电源中也得到广泛应用。