时间：2025/12/29 14:33:52
阅读：14
NDP708B是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能N沟道增强型MOSFET，广泛应用于功率管理、电源转换、负载开关和电机控制等领域。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种中高功率电子系统。NDP708B的封装形式通常为SO8（表面贴装封装），便于自动化生产和高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A（在VGS=10V时）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SO8
功率耗散（Ptot）：2.5W（在TA=25°C时）
栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
输入电容（Ciss）：620pF（典型值）
NDP708B采用先进的Trench MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其在高温环境下仍能保持稳定运行。该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高电源系统的响应速度。
此外，NDP708B的栅极驱动电压范围较宽（支持4.5V至20V），兼容多种控制电路（如MCU、PWM控制器等）。其封装设计符合RoHS环保标准，具备良好的抗静电能力和可靠性。SO8封装形式有助于自动化贴片生产，并提供良好的散热性能，适合在空间受限的电路板上使用。
该MOSFET还具备优异的雪崩击穿耐受能力，能够承受一定程度的电压过冲，提高系统的稳定性和寿命。在过载或短路情况下，其内部结构具备一定的自保护能力，减少损坏风险。
NDP708B适用于多种电源管理及功率控制应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源分配系统、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高效率特性使其成为高效电源设计中的理想选择。在消费类电子产品中，可用于电源管理模块、充电控制电路及电源适配器等场景。
Si7160DP, FDS6680, NDP7068, AO4468
