NDP706B 时间：2025/7/14 15:34:11 阅读：27

NDP706B 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等电路中。NDP706B采用TSSOP（TVSOP）封装形式，具备较低的导通电阻（Rds(on)）以及良好的热性能，适合在空间受限的电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.8A @ 25°C（Tamb=25°C）
　　功耗(Pd)：1.4W
　　导通电阻(Rds(on))：最大为85mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSSOP/TVSOP

特性

NDP706B是一款高性能功率MOSFET，其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，它具有较快的开关速度，适用于高频工作的应用场景，如同步整流和DC-DC转换器。
　　该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，优化了芯片结构以提升电流传导能力与稳定性。同时，其封装形式支持较高的功率密度，并且通过良好的散热设计，可以在相对严苛的工作环境下稳定运行。
　　NDP706B的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，使得其兼容多种类型的驱动电路，包括低压控制器和专用集成电路（ASIC）。此外，其具备较强的抗静电能力（ESD），增强了器件在制造与现场使用过程中的可靠性。
　　由于其体积小巧且具备出色的电气性能，NDP706B非常适合在空间受限但要求高性能的便携式设备中使用，例如智能手机、平板电脑和无线充电设备等。

应用

NDP706B 主要用于需要高效能与小型化的电子产品中。典型应用包括但不限于：
　　? DC-DC升压/降压转换器
　　? 负载开关或电源管理模块
　　? 同步整流器
　　? 电池供电设备的功率控制
　　? 马达驱动与继电器控制
　　? 消费类电子产品（如智能手机、智能手表）中的功率调节单元
　　? 工业自动化与控制系统中的开关元件