NDP7052 时间：2025/12/29 14:21:35 阅读：13

NDP7052 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场合。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理和负载开关等应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　配置：双通道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = 10V
　　栅极电压（VGS）：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN（双扁平无引脚）

特性

NDP7052 采用了先进的 Trench MOSFET 技术，使得其在低电压应用中具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件的双通道配置使其能够在单个封装中提供两个独立的 MOSFET，适用于需要多路功率控制的应用。其高电流处理能力和低导通电阻特性使其非常适合用于电源管理系统、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。此外，NDP7052 还具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
　　此外，NDP7052 的 DFN 封装具有良好的热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB 板上，从而提高了器件的散热能力。这种封装方式还具有较小的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。由于其出色的性能和可靠性，NDP7052 成为了许多功率电子设备中的首选器件。

应用

NDP7052 主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、汽车电子和工业控制设备中。在这些应用中，NDP7052 的低导通电阻和高电流处理能力能够显著提高系统的效率和可靠性。例如，在电源管理系统中，NDP7052 可以用于控制不同负载的供电，实现高效的电源分配。在负载开关应用中，该器件能够快速接通或断开负载，保护系统免受过载和短路的影响。在汽车电子中，NDP7052 可以用于各种功率控制和管理任务，满足汽车电子系统对高可靠性和高性能的需求。