时间：2025/12/29 14:15:41
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NDP7051L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的功率封装技术，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件专为高电流应用设计，适用于需要高功率密度和高可靠性的场合。NDP7051L 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
通道数：2
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：5.5A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：-20V~+20V
工作温度范围：-55°C~+150°C
封装类型：DFN5x6
NDP7051L 的主要特性包括双通道集成设计，减少了 PCB 占用空间，提高了系统集成度；其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；采用 DFN 封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合高功率密度设计；此外，该器件具有高雪崩能量承受能力和良好的短路保护性能，提升了系统的可靠性。
该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，降低了开关损耗；其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种控制电路；内部结构优化，减小了寄生电感，提升了动态性能。NDP7051L 的双通道对称设计也便于并联使用，进一步扩展电流能力。
NDP7051L 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源、通信电源模块等领域。在汽车电子中，也可用于车载充电系统、电动助力转向系统等需要高可靠性和高效率的功率控制场合。
Si7461DP, NDP7051L 替代型号包括 AO4406 和 SQ4406EY-T2_GE3 等双通道 N 沟道 MOSFET。
