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NDP6020P 发布时间 时间:2025/6/16 17:53:17 查看 阅读:5

NDP6020P是一款N-Channel增强型功率MOSFET,专为高效率开关应用设计。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源管理场景,包括DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
  该器件采用先进的制造工艺,在保证性能的同时降低了能耗。其封装形式通常为TO-252 (DPAK),能够满足高电流密度的需求,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  输入电容:1300pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  热阻(结到壳):35℃/W

特性

NDP6020P的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗。
  2. 快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高系统效率。
  3. 高雪崩能力和鲁棒性,能够在严苛的工作条件下保持稳定。
  4. 小型化封装(如TO-252),便于在紧凑空间内进行布局。
  5. 支持高温操作环境,适合工业级或汽车级应用。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

NDP6020P广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 汽车电子设备中的电机驱动与控制。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 便携式设备中的高效能电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N, AO3400A, FDP5500

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NDP6020P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 12A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1590pF @ 10V
  • 功率 - 最大60W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件