时间：2025/12/29 14:17:11
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NDP6020 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于高电流和高频率工作环境。NDP6020 通常采用 TO-220 或 DPAK 封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
最大功耗(Pd)：160W
导通电阻(Rds(on))：20mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220 / DPAK
NDP6020 的核心优势在于其超低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，能够在高频率开关应用中保持稳定性能，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
其高电流承载能力和良好的热管理设计使其在大功率应用中表现出色，同时具备较强的抗瞬态过载能力。
NDP6020 还具备快速开关特性，能够降低开关损耗，适用于高频 PWM 控制电路。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 10V），兼容多种驱动器电路设计。
NDP6020 主要用于各种电源管理与功率控制电路中，如笔记本电脑、服务器、电源适配器中的同步整流器；
在 DC-DC 升压/降压转换器、Buck/Boost 变换器中作为主开关器件；
在电池管理系统（BMS）中用于充放电控制；
在工业电机驱动、电动车控制器、LED 驱动器中作为高效功率开关使用；
也适用于高效率电源模块、电信设备、UPS（不间断电源）和光伏逆变器等高可靠性场合。
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"NTD60N06LT4G",
"IRF6718",
"FDMS7610",
"SiS628ADN"
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