时间：2025/8/25 7:47:03
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NDP410A是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。NDP410A适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（在Vgs=10V时）
导通电阻(Rds(on))：最大6.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：135W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
NDP410A的核心特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下，功率损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。
此外，该MOSFET采用了Nexperia专有的Trench技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和稳定性。
封装方面，LFPAK56是一种无引线、双面散热的封装形式，具有出色的热性能和机械可靠性，适用于高密度PCB布局和高温工作环境。
器件的栅极氧化层设计支持±20V的栅源电压，增强了抗干扰能力和驱动灵活性。
其高电流承载能力和良好的热管理特性，使得NDP410A能够在高功率密度和高频开关应用中表现出色，同时减少了对外部散热器的依赖。
NDP410A广泛应用于各类电源转换系统中，例如同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源模块以及工业自动化控制系统。
在汽车电子领域，该器件也常用于车载充电器、电池保护电路和电动助力转向系统（EPS）等关键模块。
由于其出色的热性能和可靠性，NDP410A也适用于对散热要求较高的紧凑型设计，如便携式电源设备和高密度电源模块。
此外，在通信基础设施中，该MOSFET可用于基站电源系统和光模块的电源管理部分。
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"SiSS100N03S",
"IRF3710",
"FDP410N",
"IPD410N",
"NDS410A"
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