时间：2025/8/24 20:24:06
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NDH8304是一款由ONSEMI（安森美半导体）推出的高集成度、高压MOSFET驱动器芯片，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件专为半桥或全桥拓扑结构中的高侧和低侧驱动而设计，具备高耐压能力，可支持高达600V的电源电压，适用于诸如电机控制、DC-AC逆变器和DC-DC转换器等应用场景。
类型：高压高侧/低侧MOSFET驱动器
工作电压范围：最高可达600V
驱动能力：典型峰值驱动电流为±0.35A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：16引脚SOIC、DIP等
输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
传播延迟时间：典型值为80ns
死区时间可调：支持优化开关时序
工作频率支持：可达100kHz以上
NDH8304采用高压集成电路（HVIC）技术，具备出色的抗干扰能力，能够在恶劣的电气环境中稳定工作。其高侧驱动器可直接连接至高压电源，无需额外的隔离元件，从而简化了系统设计并减少了外部元件数量。芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时自动关闭输出，防止误操作。此外，NDH8304具有快速响应能力，延迟时间短，能够有效提高系统的开关效率和可靠性。该芯片还具备较高的抗dv/dt能力，可防止因高电压变化率引起的误触发现象。
为了提高系统的安全性，NDH8304还支持外部死区时间调节，以防止上下桥臂同时导通造成的短路风险。这种灵活性使其适用于多种功率转换拓扑结构，如推挽式、半桥和全桥变换器等。其封装形式多样，包括16引脚SOIC和DIP封装，方便用户根据具体应用场景进行选择和安装。
在功耗方面，NDH8304设计有低静态电流特性，有助于提升整体能效。其输入端口支持CMOS/TTL逻辑电平，与多种控制器和微处理器兼容，便于集成到现有系统中。此外，芯片内部还包含自举二极管，进一步简化了外围电路的设计。
NDH8304广泛应用于需要高侧和低侧MOSFET驱动的功率转换系统，包括但不限于：电机驱动电路、DC-AC逆变器、DC-DC升压/降压转换器、UPS不间断电源系统、工业自动化控制设备、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及家用电器中的电源模块。由于其高集成度和良好的保护特性，特别适合用于高可靠性要求的工业和汽车电子领域。
NCP83045, IR2110, NCP8107
