时间：2025/5/10 14:51:24
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NDF04N60ZH 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用先进的封装技术以满足高效率、低损耗的应用需求。该器件具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，适用于各种需要高效功率转换的场合。它广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用中。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：28nC
总电容：1350pF
工作结温范围：-55℃ to +150℃
NDF04N60ZH 提供了出色的性能和可靠性。其主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：能够承受高达 600V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在特定条件下，导通电阻仅为 3.5Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷使得该器件能够实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
4. 热稳定性：能够在 -55℃ 到 +150℃ 的宽温度范围内可靠运行，适应各种严苛的工作条件。
5. 小型化设计：通过优化封装结构，在保证性能的同时减小了器件体积，便于集成到紧凑型电路中。
NDF04N60ZH 可用于多种功率电子应用领域，具体如下：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，提供高效的功率转换功能。
2. 电机驱动：控制电机的启停、调速及方向切换。
3. 逆变器：用于将直流电转化为交流电的过程中的功率控制。
4. LED 驱动：为大功率 LED 提供稳定的电流驱动。
5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电过程中的功率控制和保护。
NDF04N60Z, IRF640, FQP17N60
