时间：2025/5/8 18:48:12
阅读：2
NDD60N360U1T4G 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 器件，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和逆变器等场景。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高效率并降低系统损耗。
与传统的硅基 MOSFET 相比，NDD60N360U1T4G 由于使用了 SiC 材料，在高温、高压以及高频环境下表现更为出色，同时具备更小的热阻和更高的功率密度。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：60A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1500pF
反向恢复时间：80ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NDD60N360U1T4G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下减少传导损耗。
2. 高耐压能力，支持高达 1200V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度，减小开关损耗，并提升整体系统效率。
4. 使用碳化硅材料，使其在高温环境下依然保持优异性能。
5. 高可靠性设计，适合工业及汽车级应用。
6. 良好的热性能，封装设计优化以提高散热效果。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该器件适用于以下应用领域：
1. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机控制器。
3. 工业设备中的高效 DC-DC 转换器。
4. 不间断电源（UPS）系统中的功率管理部分。
5. 高频开关电源的设计。
6. 充电桩及储能系统的功率变换电路。
7. 照明驱动器中的功率调节组件。
NDS60N360U1T4G, C2M0060120D, SCT20N120
