时间：2025/8/24 11:33:42
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NDD506A 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于多种功率控制场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：14A
功耗（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
NDD506A MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)），通常在0.04Ω以下，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
该器件具备较高的耐压能力，漏源电压可达60V，适用于中高功率应用。
其封装形式为TO-220，这种封装不仅便于安装和散热，而且在工业应用中非常常见。
此外，NDD506A具有良好的热稳定性，可以在高温环境下稳定工作，适合对可靠性要求较高的电源系统。
由于其快速开关特性，该MOSFET在DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统中都有广泛应用。
NDD506A通常用于各种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动电路、逆变器以及电池管理系统等。
它也常用于工业自动化设备中的负载开关控制，以及LED照明系统中的恒流驱动电路。
此外，在电动车、无人机和储能系统中，该器件也被用于功率控制和能量管理模块。
IRFZ44N, FDP6030L, FQP14N60L
