时间：2025/5/9 18:11:49
阅读：8
NDD04N50ZT4G是一款高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用TO-247封装形式。该器件适用于高频开关应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其设计旨在实现高效率和低损耗，具有较低的导通电阻和快速的开关速度。
此型号属于N沟道增强型MOSFET，具备出色的雪崩击穿能力和热稳定性，适合在严苛的工作条件下使用。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：18nC
开关速度：30ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
NDD04N50ZT4G的主要特点是其高压能力与低导通电阻之间的平衡。它能够承受高达500V的漏源电压，同时提供较低的导通电阻以减少功率损耗。
该器件还具有较小的栅极电荷，这有助于提高开关速度并降低开关损耗。此外，其出色的热稳定性和雪崩击穿能力使其能够在极端环境下可靠运行。
由于采用了TO-247封装，该器件具备良好的散热性能，适合需要高功率密度的应用场景。
整体而言，NDD04N50ZT4G是一款专为高效能电力电子设备设计的MOSFET。
NDD04N50ZT4G广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 工业自动化设备
5. 照明系统中的镇流器
6. 太阳能逆变器
这些应用都依赖于其高压操作能力、低导通电阻和快速开关特性来实现高效的电力转换和控制。
NDD04N50ZT3G
NDD04N50ZT2G
IRFP460
