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NDD01N60 发布时间 时间:2025/5/26 18:24:23 查看 阅读:12

NDD01N60是一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:1.05A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:7.2Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗:130W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

NDD01N60具备以下特点:
  1. 高耐压能力,额定漏源电压为600V,能够适应高压工作环境。
  2. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗,提升效率。
  3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
  4. 较小的输入和输出电容,有助于降低开关损耗。
  5. TO-220标准封装,易于安装并提供良好的散热性能。
  6. 良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽温度范围内正常工作。

应用

这款MOSFET广泛用于各种功率电子设备中,具体应用领域包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制开关。
  4. 各类负载切换及保护电路。
  5. 太阳能逆变器等新能源系统中的功率管理模块。

替代型号

NDS9962,
  NTR4H100N60L,
  FQA10N60C

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