时间：2025/5/26 18:24:23
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NDD01N60是一款N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.05A
栅源电压：±20V
导通电阻：7.2Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：130W
工作结温范围：-55℃至+150℃
NDD01N60具备以下特点：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为600V，能够适应高压工作环境。
2. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提升效率。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 较小的输入和输出电容，有助于降低开关损耗。
5. TO-220标准封装，易于安装并提供良好的散热性能。
6. 良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽温度范围内正常工作。
这款MOSFET广泛用于各种功率电子设备中，具体应用领域包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制开关。
4. 各类负载切换及保护电路。
5. 太阳能逆变器等新能源系统中的功率管理模块。
NDS9962,
NTR4H100N60L,
FQA10N60C
