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NDC7002N 发布时间 时间:2025/5/8 16:02:18 查看 阅读:25

NDC7002N是一种双通道、低电压驱动的N沟道MOSFET栅极驱动器,广泛应用于功率转换和电机驱动等场景。该器件能够在较宽的输入电压范围内提供高效率的驱动能力,并且具有短路保护和欠压锁定功能,从而提高了系统的可靠性和安全性。
  它专为驱动N沟道MOSFET而设计,适用于需要快速开关和高电流驱动的应用场合。

参数

电源电压范围:4.5V 至 18V
  峰值拉电流:1A
  峰值灌电流:1A
  传播延迟:60ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

NDC7002N采用先进的互补输出结构,确保了对MOSFET栅极的有效驱动,同时减少了开关损耗。
  其内部集成的保护功能包括:
  1. 欠压锁定(UVLO),防止在低压条件下误操作。
  2. 短路保护机制,避免因负载异常导致芯片损坏。
  此外,该驱动器还具备较快的开关速度,能够支持高频应用,适合用于DC-DC转换器、逆变器以及步进电机驱动等领域。

应用

NDC7002N主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流控制。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路中的高效驱动。
  3. 小型电机控制与驱动,例如步进电机和无刷直流电机。
  4. LED驱动电路中作为关键的功率级驱动组件。
  5. 工业自动化设备中的各种功率开关需求。
  由于其低功耗特性和良好的热性能,该器件非常适合紧凑型设计。

替代型号

NDS7002A

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NDC7002N参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C510mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 510mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDC7002NTR