NDC3105LT1G 时间：2025/6/3 20:03:28 阅读：6

NDC3105LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，广泛应用于高频、高功率密度场景。这款器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET) 结构设计，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及无线充电等应用。
　　相比传统硅基 MOSFET，NDC3105LT1G 在高频和高压环境下表现出更优异的性能，同时能够显著减少系统功耗和体积。

参数

漏源导通电阻(Rds(on))：40 mΩ
　　额定电压(Vds)：100 V
　　额定电流(Id)：12 A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5 V 至 3 V
　　最大工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：LLP-8

特性

NDC3105LT1G 的核心优势在于其出色的电气特性和可靠性。首先，它拥有超低的导通电阻 Rds(on)，仅为 40 毫欧姆，可大幅降低传导损耗。
　　其次，其开关速度极快，具备低栅极电荷(Qg) 和输出电荷(Qoss)，使得开关损耗显著降低。在高频操作下，这种特性可以有效提高效率并缩小无源元件尺寸。
　　此外，该器件支持高达 100V 的工作电压，同时能够在宽温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境条件下的工业及汽车应用。
　　最后，其 LLP-8 封装提供了卓越的热性能和紧凑的设计，有助于进一步优化 PCB 布局和散热管理。

应用

NDC3105LT1G 广泛用于需要高效能和小型化的电力电子领域。典型应用场景包括：
　　1. 开关电源(SMPS)：特别是在图腾柱 PFC 等拓扑中，利用其低损耗特性实现更高效率。
　　2. DC-DC 转换器：适合笔记本电脑适配器、服务器电源模块等领域，提供更快的动态响应。
　　3. 电机驱动：由于其高频能力，可用于高性能无刷直流电机控制。
　　4. 无线充电设备：为消费电子产品提供更高效的无线能量传输解决方案。
　　5. 快速充电器：凭借其快速开关能力，可满足现代便携式设备对高功率密度的需求。