时间：2025/8/25 4:53:24
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NDB710B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场合。该器件采用先进的 Trench 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合中高功率应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：6.0A
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻 Rds(on)：典型值 0.45Ω（@ Vgs = 10V）
功率耗散（Pd）：35W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
NDB710B MOSFET 采用先进的 Trench 工艺技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其低栅极电荷（Qg）使得开关速度更快，适用于高频开关应用。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了系统在异常工作条件下的稳定性与可靠性。
该MOSFET的封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的热性能，适合表面贴装工艺，便于在紧凑型PCB设计中使用。其宽泛的工作温度范围使其能够在严苛的工业环境和汽车电子系统中稳定运行。
由于其高栅极电压耐受能力（±20V），NDB710B 在栅极驱动设计上具有更高的灵活性，可适配多种驱动电路方案。
NDB710B 主要应用于各类电源管理系统，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业控制设备以及汽车电子系统中的开关控制电路。此外，该器件也适用于需要高效、低损耗功率开关的消费类电子产品，如智能家电、电动工具和电机驱动系统等场景。
IRF540N, FQP10N10L, FDPF6N60, NDS7108
