类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100MHz

高电流增益（hFE）：NDB608A的电流增益范围为110至800，分为多个等级（例如hFE分档为O档、Y档、GR档、BL档等），便于在不同应用场景中选择合适的增益等级，满足电路设计的精度需求。
　　优异的频率响应：该晶体管的过渡频率（fT）可达100MHz，使其适用于高频放大器和射频电路设计，具备良好的响应速度和稳定性。
　　低饱和压降：在导通状态下，NDB608A的集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)）较低，有助于降低功耗并提高开关效率，特别适用于开关电源和数字逻辑电路。
　　良好的热稳定性：由于其结构设计和材料选择，NDB608A具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能，适用于恶劣环境下的电子设备。
　　易于使用和安装：采用TO-92封装，适合通孔安装，便于在PCB板上布局和焊接，广泛用于原型设计和量产应用。
　　高可靠性：安森美半导体在制造过程中采用了严格的质量控制标准，确保NDB608A具有较长的使用寿命和较高的可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。

通用放大电路：NDB608A常用于音频放大器、电压放大器和信号放大电路中，凭借其高增益和低噪声特性，能够有效放大微弱信号，满足各种模拟电路的需求。
　　开关电路：由于其低饱和压降和快速响应特性，NDB608A广泛应用于数字电路中的开关控制，例如驱动继电器、LED和小型电机等负载。
　　射频和高频电路：该晶体管的高频响应能力使其适用于射频放大器和调制电路，可用于通信设备、无线发射模块和射频识别（RFID）系统中。
　　传感器接口电路：在传感器信号调理电路中，NDB608A可用于信号放大和缓冲，确保传感器输出信号的准确性和稳定性。
　　电源管理电路：该晶体管可用于线性稳压器、DC-DC转换器等电源管理电路中，协助实现高效的能量转换和调节。
　　教育和原型设计：由于其广泛的应用性和易于获取的特性，NDB608A常用于电子工程教育和原型设计中，帮助学生和工程师理解和掌握晶体管的基本工作原理和应用方法。

BC547, 2N3904, PN2222A