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NDB6060L 发布时间 时间:2025/6/16 22:10:16 查看 阅读:3

NDB6060L是一款高性能的低压差线性稳压器(LDO),专为低功耗和高精度的应用场景设计。该芯片具有较小的封装尺寸,能够在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压。其超低的静态电流和快速的负载响应使其非常适合便携式设备和电池供电系统。

参数

输入电压范围:1.8V-5.5V
  输出电压范围:0.8V-3.3V
  最大输出电流:600mA
  典型压差电压:280mV@300mA
  静态电流:1.8uA
  工作温度范围:-40℃ to +125℃
  封装形式:SOT23-5

特性

NDB6060L采用了先进的CMOS工艺制造,能够有效降低功耗并提升效率。其内置保护电路包括过流保护、短路保护以及过温保护功能,确保芯片在极端条件下的安全性。
  这款稳压器具备非常低的噪声性能,特别适合对电源质量要求较高的应用环境,例如射频模块或音频电路。此外,NDB6060L支持快速瞬态响应,即使面对剧烈变化的负载需求,也能保持输出电压稳定。

应用

NDB6060L广泛应用于各种需要高效能和小体积电源解决方案的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 便携式电子设备,如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。
  2. 工业仪表与自动化控制设备。
  3. 通信设备中的辅助电源模块。
  4. 消费类电子产品,如蓝牙耳机、游戏控制器等。
  由于其低功耗特点,也特别适用于电池供电产品。

替代型号

NDB6050L, AP2112K, MCP1700

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NDB6060L参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 24A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDB6060LTR