NDB6050 时间：2025/12/29 14:23:18 阅读：15

NDB6050 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等多种功率电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在TC=25℃）
　　功耗（PD）：160W
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为2.8mΩ（在VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

NDB6050 的核心特性在于其低导通电阻和高电流能力，使其在高功率应用中表现出色。该MOSFET采用Trench沟槽技术，有效降低了RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
　　NDB6050 还具备快速开关特性，适合用于高频开关电路，如同步整流器和DC-DC转换器。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，有助于在高电流负载下保持较低的结温。
　　在可靠性方面，NDB6050 设计有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，提高了器件在恶劣环境下的使用寿命。此外，其栅极氧化层具有较高的击穿电压，确保了在高VGS条件下的稳定运行。

应用

NDB6050 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）等。其高电流承载能力和低导通电阻也使其适用于服务器电源、电信设备和工业控制系统。
　　此外，该MOSFET还广泛用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电动助力转向系统（EPS）等，其高可靠性和耐高温特性非常适用于车载环境。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，NDB6050 也可用于高频开关电路，以提升整体能效。