类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大22mΩ（当VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TSOP-6
　　功率耗散（PD）：4W

NDB6030L/L99Z MOSFET具有低导通电阻的特性，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗，提高开关频率。此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛工作环境下的可靠性。其Trench沟槽技术提供了更佳的热稳定性和更高的电流密度，确保在高温环境下依然能保持稳定工作。
　　该器件的封装形式为TSOP-6，具备良好的热管理能力，适合在空间受限的应用中使用。此外，NDB6030L/L99Z的高栅极电压耐受能力（±20V）使其在设计时具有更高的灵活性，并能有效防止因电压尖峰导致的损坏。器件符合RoHS环保标准，支持绿色电子设计的需求。

NDB6030L/L99Z MOSFET广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中。其主要应用包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、电源适配器以及汽车电子系统。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率切换能力，从而提升整体系统效率并降低发热量。在汽车电子领域，NDB6030L/L99Z适用于车身控制模块、车载充电系统以及车载娱乐系统的电源管理部分，其高可靠性和宽工作温度范围确保其在复杂环境中稳定运行。

Si4410BDY-E3, FDS6680, NDS6030AL