类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A（在 VGS=10V）
　　导通电阻 RDS(on)：最大 5.3mΩ（在 VGS=10V）
　　功率耗散：130W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

NDB508AE 的核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的 Trench 技术，实现了高电流密度和优异的热性能，使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，NDB508AE 具备出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。其 ±20V 的栅极电压耐受能力支持使用高驱动电压，从而进一步降低 RDS(on) 并提升开关性能。
　　该 MOSFET 还具有良好的热阻特性（RθJA），有助于在高功率应用中保持良好的散热效果。TO-252 封装形式不仅便于安装，也兼容现代自动化贴片工艺，适合大批量生产应用。
　　值得一提的是，NDB508AE 在高频开关应用中表现出色，适用于同步整流、多相 DC-DC 转换器、服务器电源、电机驱动器等高性能电源管理系统。

NDB508AE 主要用于需要高效率、大电流能力的功率电子系统中。典型应用包括 PC 电源、服务器电源、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制器、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其优异的热性能和高频响应能力，NDB508AE 也常被用于同步整流电路和开关电源（SMPS）中，用于提升整体系统效率并减少热量产生。此外，其高电流承载能力和低导通电阻使其非常适合用于高功率密度设计，如便携式设备的电源管理和高功率 LED 照明驱动电路。

SiS430DN, IRF1324S-7PP, FDP13N30C, NDS5520, FDS5618