NDB408BEL 时间：2025/8/25 2:08:16 阅读：4

NDB408BEL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高性能电源管理和功率开关应用设计，适用于高频率开关、DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备等场景。NDB408BEL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低导通损耗并提高系统效率。该器件封装形式为 TO-220AB，具有良好的热性能和机械稳定性，适合工业级和消费类电子应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

NDB408BEL 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为 4.5mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 在 VGS=10V 时可提供高达 75A 的连续漏极电流，适合高电流应用。此外，其最大漏源电压为 100V，使其适用于中高压功率转换系统。
　　NDB408BEL 采用了先进的沟槽式结构，提升了器件的开关性能和热稳定性。其 TO-220AB 封装具有良好的散热能力，可有效降低结温，提高器件的可靠性和寿命。这种封装形式也便于安装在散热片上，适用于需要良好热管理的电源系统。
　　该器件具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在复杂的栅极驱动环境下具有更好的稳定性。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了电源系统的整体效率，适用于高频开关电源和同步整流应用。
　　此外，NDB408BEL 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，适合在严苛的环境条件下使用，如工业控制、汽车电子和电源适配器等领域。

应用

NDB408BEL 主要应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及负载开关等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适用于高效率、高功率密度的电源模块和工业电源设备。此外，该器件也广泛用于服务器电源、电信设备、UPS（不间断电源）、电动车充电器以及太阳能逆变器等高功率应用场合。