NCX2220DP,125是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管阵列,属于双NPN晶体管阵列IC。这款器件主要用于需要高增益、高频率响应和低噪声的应用场合。NCX2220DP,125封装为SO-8(Small Outline),是一种表面贴装器件,适合现代电子设备中对空间和性能要求较高的应用。这款晶体管阵列具有良好的匹配特性,使得它们在差分放大器和模拟电路设计中表现优异。
晶体管类型:NPN双晶体管
配置:共发射极
集电极-发射极电压(VCEO):30V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功率耗散(PD):200mW
电流增益(hFE):100-800(取决于工作电流)
频率响应:250MHz(典型值)
封装类型:SO-8
NCX2220DP,125具有优异的匹配性能,两个晶体管之间的电流增益(hFE)匹配度高,非常适合用于差分放大电路和电流镜应用。该器件的高频响应特性使其在射频和高速模拟电路中表现出色。此外,NCX2220DP,125采用SO-8封装,具有较小的体积和良好的热性能,适合高密度PCB布局。其低噪声系数和高线性度也使其在精密模拟电路中得到广泛应用。
这款晶体管阵列的基极-发射极电压(VBE)匹配度也非常高,这对于要求精确偏置和温度补偿的电路设计非常重要。此外,NCX2220DP,125的工作温度范围广泛,通常可以在-55°C至+150°C之间正常工作,适合工业和汽车应用。其表面贴装封装也简化了制造流程,提高了生产效率。
NCX2220DP,125广泛应用于各种电子电路设计中,尤其是在需要高精度和高性能的场合。常见的应用包括差分放大器、电流镜电路、射频放大器、高速比较器、模拟乘法器以及温度补偿电路。由于其优异的匹配性能和高频响应能力,该器件也常用于音频放大器和精密测量仪器中的前置放大器部分。此外,NCX2220DP,125的高稳定性使其适用于工业控制系统、汽车电子和通信设备中的关键模拟电路。
BC847BDS,125; MMBT2222ALT1G; 2N3904LT1G