时间：2025/4/25 18:42:19
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NCV8664ST50T3G 是一款由安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道MOSFET功率晶体管，专为汽车级应用设计。该器件采用TO-263-3（D2PAK）封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，非常适合于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
这款MOSFET采用了先进的半导体制造工艺，能够提供高效的功率转换以及出色的热性能表现。其工作电压范围宽广，可以满足多种不同的电源管理需求。同时，由于其符合AEC-Q101标准，因此能够在恶劣的汽车环境中保持稳定可靠的运行。
型号：NCV8664ST50T3G
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-263-3 (D2PAK)
最大漏源极电压(Vds)：60V
最大栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗(Ptot)：175W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
1. 符合AEC-Q101标准，适用于严苛的汽车环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗，提升系统效率。
3. 高电流承载能力（50A），适合大功率应用。
4. 良好的热性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
5. 宽工作电压范围（60V），可支持多种输入电压条件下的操作。
6. 快速开关特性，降低开关损耗，特别适合高频应用。
7. 短路耐受能力强，提高了在异常情况下的保护性能。
8. 可靠性高，适用于各种恶劣的工作环境。
1. 汽车电子中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制。
4. 开关电源（SMPS）设计。
5. 电池管理系统中的功率路径管理。
6. 工业自动化设备中的功率开关元件。
7. 逆变器及不间断电源系统（UPS）。
NCV8664ST40T3G
NTD8664N
IRLB8721PBF
