NCV8445DR2G 是一款高性能的汽车级N沟道MOSFET,采用TO-263-2封装形式。该器件专为高效率开关应用设计,具有低导通电阻和高电流处理能力,非常适合汽车电子中的负载开关、电机驱动和其他功率管理场景。它具备出色的热性能和电气性能,能够在严苛的工作环境下稳定运行。
NCV8445DR2G符合AEC-Q101标准,确保其在汽车环境中的可靠性。同时,它的设计充分考虑了电磁兼容性(EMC)要求,能够减少干扰并提升系统稳定性。
型号:NCV8445DR2G
封装:TO-263-2
VDS(漏源极电压):30 V
RDS(on)(导通电阻):1.5 mΩ
ID(连续漏极电流):78 A
VGS(th)(栅极阈值电压):2.5 V
功耗:94 W
工作温度范围:-40℃ 至 +175℃
绝缘耐压:1200 V
NCV8445DR2G是一款专门面向汽车行业的高效能功率MOSFET。其主要特性如下:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),仅为1.5 mΩ,可显著降低传导损耗,提升整体效率。
2. 高电流承载能力,支持高达78 A的连续漏极电流,满足大功率应用场景需求。
3. 宽泛的工作温度范围(-40℃至+175℃),适应极端环境条件下的可靠运行。
4. 符合AEC-Q101认证标准,确保在汽车环境中具备卓越的可靠性和耐用性。
5. 小型化TO-263-2封装设计,节省PCB空间的同时提供良好的散热性能。
6. 快速开关速度,适合高频应用场合,例如DC-DC转换器和负载开关。
7. 栅极阈值电压低至2.5 V,便于与低压逻辑电路直接连接,简化设计。
NCV8445DR2G广泛应用于汽车电子领域,具体包括:
1. 车载电源管理系统,如电池管理、DC-DC转换器等。
2. 汽车电机控制,包括风扇、水泵、油泵等小型电机驱动。
3. 负载开关,用于各类车载设备的电源通断控制。
4. 继电器替代方案,减少机械部件使用,提高系统可靠性和寿命。
5. 逆变器和变换器电路中作为功率开关元件。
6. 其他需要高电流、低损耗功率切换的应用场景。
NCV8446DR2G, NCV8447DR2G