时间：2025/5/12 10:06:25
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NCV8114ASN180T1G 是一款高性能、低功耗的 N 沟道增强型 MOSFET，专为汽车电子应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和热性能，适用于负载开关、电机驱动和电源管理等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT23-3L，并且符合 AEC-Q101 标准，确保其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
型号：NCV8114ASN180T1G
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT23-3L
Vds（漏源极电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：60mΩ
Id（连续漏极电流）：1.5A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1V~2.5V
f(max)（最大工作频率）：5MHz
结温范围：-55℃~175℃
NCV8114ASN180T1G 具有以下主要特性：
1. 高可靠性：符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
2. 低导通电阻：Rds(on) 仅为 60mΩ（典型值），能够有效降低功率损耗。
3. 小型化封装：采用 SOT23-3L 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作电压范围：支持高达 40V 的漏源极电压，适合多种应用场景。
5. 快速开关能力：支持最高 5MHz 的开关频率，满足高频电路需求。
6. 耐高温性能：结温范围可达 -55℃ 至 +175℃，适应严苛的工作环境。
7. 静电防护能力：具备良好的 ESD 保护性能，提高产品稳定性。
综合来看，NCV8114ASN180T1G 是一款高效能、高可靠性的 MOSFET，特别适合对空间和性能要求较高的汽车电子系统。
NCV8114ASN180T1G 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子：如车身控制模块（BCM）、电动窗、雨刷器和座椅调节等。
2. 电源管理：包括 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统。
3. 电机驱动：小型直流电机的驱动控制。
4. 开关电路：用于信号切换和功率级控制。
5. 工业自动化：传感器接口、继电器驱动和其他需要高效开关的应用。
由于其卓越的电气特性和环境适应性，NCV8114ASN180T1G 成为许多汽车和工业项目中的首选 MOSFET 器件。
NCV8109ASNT1G, BSS138WT1G
