NCR402T 时间：2025/7/14 15:35:57 阅读：9

NCR402T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等高效率功率转换系统中。NCR402T 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大漏极电流（ID）@25°C：7.6A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：28mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：40mΩ
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP-6

特性

NCR402T 具备多项优良的电气和物理特性，使其在低压功率应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻 RDS(on) 显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。在 VGS=4.5V 时，RDS(on) 仅为 28mΩ，在同类产品中具有较强的竞争力。
　　其次，该 MOSFET 支持较低的栅极驱动电压（最低可至 2.5V），适用于电池供电设备和低电压数字控制电路，兼容多种逻辑电平驱动器。
　　NCR402T 的栅极电荷（Qg）仅为 10nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件采用 TSOP-6 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的散热性能。结合其高电流容量（7.6A 连续漏极电流），非常适合用于紧凑型 DC-DC 转换器或便携式电子设备的电源管理模块。
　　最后，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行，提升了器件的可靠性和耐用性。

应用

NCR402T 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　- 开关电源（SMPS）：用于同步整流和主开关拓扑结构，提升转换效率并降低功耗。
　　- DC-DC 转换器：如升压（Boost）、降压（Buck）和反相（Inverting）拓扑，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理。
　　- 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制外设电源或隔离不同功能模块的供电。
　　- 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过流、短路等异常情况的影响。
　　- 电机驱动与继电器驱动：利用其高电流能力和快速开关特性，实现高效电机控制或继电器切换。
　　- 汽车电子：例如车载充电器、LED 照明系统以及车身控制系统等场景。