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NCEP12T12D 发布时间 时间:2025/5/30 22:29:39 查看 阅读:7

NCEP12T12D是一款高性能的双通道功率MOSFET集成模块,广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够在高频条件下保持高效能表现。
  该模块将两个N沟道功率MOSFET集成在一个封装中,支持大电流输出,并具备优异的热性能。其坚固的设计使其能够承受瞬态电压和高温环境下的工作需求。

参数

类型:双通道N沟道MOSFET
  最大漏源电压Vds:1200V
  最大连续漏极电流Id:12A
  导通电阻Rds(on):50mΩ(典型值)
  栅极电荷Qg:50nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

NCEP12T12D具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功耗并提高效率。
  2. 高耐压设计,能够适应高达1200V的工作环境。
  3. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
  4. 内置ESD保护功能,增强了系统的可靠性。
  5. 小巧紧凑的封装形式,便于安装和散热管理。
  6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式,满足不同电路板设计需求。
  7. 稳定的电气性能和热性能,确保在恶劣环境下也能正常运行。

应用

NCEP12T12D适用于多种电子设备和系统:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 工业自动化设备中的电机驱动。
  3. 逆变器和变频器的核心组件。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车充电器。
  5. LED驱动器和照明控制系统。
  6. 各类需要高效功率处理的应用场景。

替代型号

NCEP12T15D, IRFP260N, FQA12N120

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