NCEP12T12D是一款高性能的双通道功率MOSFET集成模块,广泛应用于开关电源、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的封装技术,具有低导通电阻和高电流承载能力的特点,能够在高频条件下保持高效能表现。
该模块将两个N沟道功率MOSFET集成在一个封装中,支持大电流输出,并具备优异的热性能。其坚固的设计使其能够承受瞬态电压和高温环境下的工作需求。
类型:双通道N沟道MOSFET
最大漏源电压Vds:1200V
最大连续漏极电流Id:12A
导通电阻Rds(on):50mΩ(典型值)
栅极电荷Qg:50nC(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-247
NCEP12T12D具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功耗并提高效率。
2. 高耐压设计,能够适应高达1200V的工作环境。
3. 快速开关速度,适用于高频应用场合。
4. 内置ESD保护功能,增强了系统的可靠性。
5. 小巧紧凑的封装形式,便于安装和散热管理。
6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式,满足不同电路板设计需求。
7. 稳定的电气性能和热性能,确保在恶劣环境下也能正常运行。
NCEP12T12D适用于多种电子设备和系统:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 工业自动化设备中的电机驱动。
3. 逆变器和变频器的核心组件。
4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电动汽车充电器。
5. LED驱动器和照明控制系统。
6. 各类需要高效功率处理的应用场景。
NCEP12T15D, IRFP260N, FQA12N120