NCE65T1K2K 时间：2025/6/22 11:39:25 阅读：3

NCE65T1K2K 是一款氮化镓 (GaN) 基础的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。这种器件采用先进的 GaN 技术，具备卓越的开关速度、低导通电阻和高击穿电压，使其非常适合于射频功率放大器、直流-直流转换器以及无线能量传输等应用场景。
　　该器件具有强大的热性能，能够在高频和高压条件下长时间稳定工作，同时保持较低的能量损耗。其封装形式通常为表面贴装或焊接式，方便与现代电路集成。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：1.3A
　　峰值脉冲漏极电流：3.9A
　　导通电阻：1.4Ω
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：1350pF
　　反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NCE65T1K2K 的主要特性包括：
　　1. 高效的开关性能，能够实现高达 MHz 级别的开关频率。
　　2. 极低的导通电阻和开关损耗，有效提高系统效率。
　　3. 内置 ESD 保护功能，增强器件的可靠性。
　　4. 高度稳定的电气性能，即使在极端温度条件下也能正常运行。
　　5. 小巧紧凑的封装形式，适合各种空间受限的应用场景。
　　6. 出色的热管理能力，降低散热设计复杂度。

应用

NCE65T1K2K 广泛应用于以下领域：
　　1. 高效 DC-DC 转换器。
　　2. 射频功率放大器，例如用于通信基站和雷达系统。
　　3. 快速充电适配器及便携式设备电源。
　　4. 工业用电机驱动和逆变器。
　　5. 可再生能源系统中的功率转换模块，如太阳能微逆变器。
　　6. 汽车电子领域，例如车载充电器和 DC-AC 逆变器。