时间：2025/12/23 22:32:13
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NCE60TD65BT是一款高压、高效率的MOSFET晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等功率电子应用中。该器件采用了先进的Trench技术，具备低导通电阻和高电流处理能力。
其封装形式为TO-220，适合散热要求较高的场景，同时具有良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：60A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：37nC
总电容（输入电容）：1390pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
NCE60TD65BT具备以下主要特点：
1. 高击穿电压（650V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（0.18Ω），降低了导通损耗，提升了系统效率。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠工作。
5. 封装采用标准TO-220，便于安装和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
NCE60TD65BT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. DC-DC转换器中的主开关管。
4. 逆变器和UPS系统中的功率管理组件。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. LED照明驱动电源中的高效功率开关。
NCE60TD65B, IRFP460, STP60NF65
