NCE60P04Y 时间：2025/6/9 14:35:36 阅读：23

NCE60P04Y是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子设备中。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
　　作为一款N沟道增强型MOSFET，NCE60P04Y的工作电压范围较宽，适用于多种电路设计场景。其优异的热性能和电气特性使其成为许多工业及消费类电子产品中的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：4.3A
　　导通电阻：170mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　总电容：115pF
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

NCE60P04Y具备以下主要特性：
　　1. 高击穿电压，可承受高达60V的漏源电压，确保在各种应用场景下的稳定性。
　　2. 极低的导通电阻（170mΩ典型值），有助于减少功率损耗。
　　3. 快速开关能力，栅极电荷低至8nC，适合高频操作环境。
　　4. 小巧的TO-252封装，节省PCB空间的同时提供良好的散热性能。
　　5. 宽泛的工作温度范围（-55℃到+150℃），适应极端环境条件。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

NCE60P04Y适用于以下应用领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
　　2. DC-DC转换器中的功率级开关。
　　3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
　　6. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节功能。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET非常适合需要高效能和小体积解决方案的设计。