类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为20mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

NCE60NF200K 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，能够在高频率工作条件下实现较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提高了沟道密度，降低了RDS(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　此外，其200V的耐压能力使其适用于多种高压应用场景，例如电机驱动、DC-DC转换器、电源管理系统等。
　　该MOSFET具备较强的热稳定性和过载能力，适合在高要求的工业和汽车电子系统中使用。
　　采用TO-263表面贴装封装，具有良好的热管理和安装便利性，适用于自动化贴片生产流程。

NCE60NF200K 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　开关电源（SMPS）：用于高效能AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件。
　　电机驱动与逆变器：适用于无刷直流电机控制、伺服驱动器和变频器系统。
　　电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统中的充放电控制电路。
　　工业自动化设备：如伺服控制器、工业电源模块等需要高可靠性和高效率的场合。
　　太阳能逆变器与储能系统：用于能量转换与功率调节模块。

IXFH60N20P, FDP60N20, IRF640N, STP60NF20