NCE55P05S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性。它广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
其封装形式为 SOT-23,这种小型化封装使得 NCE55P05S 在空间受限的应用中非常受欢迎。
型号:NCE55P05S
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS):50 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
连续漏极电流(ID):5.6 A(@Tc=25℃)
导通电阻(RDS(on)):1.1 Ω(典型值,@VGS=4.5V)
栅极电荷(Qg):17 nC
开关时间:开启时间(t_on):15 ns,关闭时间(t_off):48 ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
NCE55P05S 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度,使其非常适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 小型 SOT-23 封装设计,节省了 PCB 空间。
5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件下的使用需求。
6. 高可靠性,能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
NCE55P05S 的主要应用场景包括:
1. 开关电源中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各种便携式电子设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
NCE55P05H, BSS138, AO3400