时间：2025/5/10 17:45:12
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NCE55P05S 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性。它广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
其封装形式为 SOT-23，这种小型化封装使得 NCE55P05S 在空间受限的应用中非常受欢迎。
型号：NCE55P05S
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：50 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：5.6 A（@Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：1.1 Ω（典型值，@VGS=4.5V）
栅极电荷（Qg）：17 nC
开关时间：开启时间（t_on）：15 ns，关闭时间（t_off）：48 ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NCE55P05S 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，使其非常适合高频开关应用。
3. 高电流处理能力，确保在大负载条件下稳定运行。
4. 小型 SOT-23 封装设计，节省了 PCB 空间。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种环境条件下的使用需求。
6. 高可靠性，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
NCE55P05S 的主要应用场景包括：
1. 开关电源中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各种便携式电子设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动电路中的电流调节元件。
NCE55P05H, BSS138, AO3400
