时间：2025/6/21 10:41:58
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NCE30H15是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率的应用场景设计。该器件采用增强型GaN晶体管结构，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其额定耐压为650V，最大导通电阻为15mΩ，适用于电源管理、快充适配器、无线充电以及DC-DC转换器等领域。
相比传统硅基MOSFET，NCE30H15具备更低的栅极电荷、输出电荷和反向恢复电荷，可显著降低开关损耗并提高系统效率。同时，它支持高达2MHz的工作频率，能够实现更紧凑的设计方案。
额定电压：650V
最大导通电阻：15mΩ
漏源击穿电压：650V
栅源开启电压：1.8V
栅源阈值电压：1.5V~2.5V
最大连续漏极电流：30A
栅极电荷：40nC
输出电荷：90nC
反向恢复电荷：无（因GaN无反向恢复问题）
工作结温范围：-55℃~+150℃
1. 基于氮化镓（GaN）技术，提供卓越的高频性能和低开关损耗。
2. 额定耐压650V，适用于多种高压应用场景。
3. 极低的导通电阻（15mΩ），有效降低传导损耗。
4. 支持高达2MHz的工作频率，减小了磁性元件尺寸，提升了功率密度。
5. 无反向恢复电荷，大幅降低EMI干扰和开关噪声。
6. 提供强大的短路保护能力，确保系统运行稳定可靠。
7. 小型化QFN封装，简化PCB布局并优化热性能。
1. 快速充电器及适配器：
NCE30H15适用于USB-PD快充和其他高效充电设备。
2. DC-DC转换器：
在隔离式或非隔离式DC-DC变换器中表现出色，如服务器电源、通信电源等。
3. 开关电源（SMPS）：
可用于高效能AC-DC转换器，提升整体效率。
4. 无线充电模块：
能够满足高效率、高频率的需求，适合无线充电发射端。
5. 电机驱动：
适用于小型化、轻量化电机控制领域。
GaN Systems GS66508T, Transphorm TP65H150G4LSG
