NCE30H14K 时间：2025/5/7 9:46:54 阅读：6

NCE30H14K 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在中高压应用场合使用。
　　该 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体视制造商而定。其设计旨在提供高效的功率转换，并能够承受较高的电压和电流。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：14A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　开关速度：10ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 150℃

特性

NCE30H14K 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保了较低的传导损耗，提高了整体效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频开关电路。
　　3. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
　　4. 较小的热阻，提升了散热性能，使器件能够在较高温度下稳定运行。
　　5. 良好的雪崩能力和鲁棒性，可适应恶劣的工作环境。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。

应用

NCE30H14K 常用于以下应用场景：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关。
　　3. 电机控制与驱动电路。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. LED 驱动电路以及电池管理系统 (BMS)。