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NCE3035G 发布时间 时间:2025/6/5 12:24:59 查看 阅读:7

NCE3035G是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高电流处理能力,适合用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。其封装形式通常为TO-220或TO-247,具有良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:35A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:8nC
  反向恢复时间:15ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

NCE3035G的主要特性包括超低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。同时,它具有快速开关速度和较低的栅极电荷,有助于减少开关损耗。此外,该器件还具备优异的热稳定性和鲁棒性,能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
  该功率MOSFET采用了优化的芯片设计和封装技术,确保了高效的热量散发,从而支持更高的负载能力和更长的使用寿命。其紧凑的封装形式也使其非常适合空间受限的应用场景。

应用

NCE3035G广泛应用于各种功率电子设备中,例如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动车辆控制器以及工业自动化设备等。在这些应用中,它可以作为高效开关元件使用,帮助实现能量转换和控制功能。此外,它还适用于需要大电流处理能力的电机驱动场合。

替代型号

IRF3710,
  STP30NF06,
  FDP5500

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