类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

NCE2N150D具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适合高电流应用场景。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提升了电流密度和开关性能。其次，其高耐压能力（150V）使得该MOSFET适用于中高压功率转换系统，如Buck/Boost转换器、同步整流电路等。此外，NCE2N150D具有良好的热稳定性，TO-252封装设计支持良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。该器件还具备较高的抗雪崩能力，增强了在突发负载或电压尖峰情况下的可靠性。NCE2N150D的栅极驱动电压兼容广泛（通常为10V驱动完全导通），可与多种驱动IC或控制器配合使用，简化了电路设计。
　　从应用角度看，NCE2N150D因其高电流承载能力和低导通损耗，非常适合用于高效率电源系统，如服务器电源、工业电源、LED驱动电源等。其封装形式适合SMT工艺，提高了生产效率和产品可靠性。在电机驱动、马达控制、电池保护板等领域，该MOSFET也表现出色，能够承受频繁开关和负载突变带来的应力。此外，NCE2N150D的性能参数与国际主流品牌如Infineon、ON Semi、ST等的同类产品具有良好的兼容性，便于替换和升级。

NCE2N150D主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业控制设备、LED照明驱动、服务器电源、UPS不间断电源、逆变器和充电器等。其高电流能力和低导通电阻特性使其在高效率和高功率密度设计中表现出色。

SiHF150N15TFD、IRF150N15D、STP75NF15、FDPF150N15F、IPW90R150P7