类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压 Vds：500V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：20A（在Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-263

NCE20N50具备优异的导通和开关性能，其主要特性包括：
　　? 高耐压能力：最大漏源电压可达500V，适合高压应用场景。
　　? 低导通电阻：Rds(on)在Vgs=10V时典型值低于0.22Ω，有效降低导通损耗。
　　? 快速开关速度：具备较低的输入电容和输出电容，适用于高频开关电路。
　　? 高可靠性：采用先进的平面工艺和封装技术，具有良好的热稳定性和长期耐用性。
　　? 过热保护能力强：能够在高功率工作条件下保持稳定性能，适用于工业级环境。
　　? 高电流承载能力：支持高达20A的连续漏极电流，适用于大功率负载驱动。
　　? 热阻低：良好的热传导性能有助于提高系统的整体效率和稳定性。
　　这些特性使NCE20N50在电源转换和功率控制领域表现出色，是许多高功率电子设备的理想选择。

NCE20N50广泛应用于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）：如AC-DC电源适配器、服务器电源等。
　　? DC-DC转换器：用于工业设备、通信设备和电动汽车中的电压转换系统。
　　? 逆变器：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等。
　　? 电机控制：如无刷直流电机驱动器、工业自动化设备中的功率控制模块。
　　? LED照明驱动：适用于大功率LED灯具的恒流驱动方案。
　　? 电池管理系统（BMS）：用于电动车、储能系统中的充放电控制。
　　? 家用电器：如电磁炉、电饭煲等需要高功率控制的电器设备。
　　凭借其高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，NCE20N50成为多种高功率电子系统中不可或缺的关键元件。

IRF20N50、STF20N50、FQP20N50、TK20N50、SiHF20N50