类型：P沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：-8.5A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤22mΩ（当Vgs=-10V时）
　　栅极电荷(Qg)：26nC（典型值）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

NCE01P13I 采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体效率。
　　该器件的漏源电压为-100V，适用于多种中高功率应用场景，同时其栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极保护能力。
　　该MOSFET在25℃下的连续漏极电流可达-8.5A，能够支持较高的负载能力，适用于需要较高电流的开关电源、负载开关和电池管理系统等。
　　其导通电阻在Vgs=-10V时小于22mΩ，显著降低了导通损耗，有助于减小散热需求，提高系统效率。
　　此外，NCE01P13I采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
　　工作温度范围从-55℃至+175℃，使得该器件能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。

NCE01P13I 常用于多种电源管理和功率控制应用，例如：在同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电源适配器、电池充电器、电机控制电路、工业自动化设备以及汽车电子系统中。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于高效率、低功耗的开关电源系统。此外，在电池管理系统中，该器件可用于电池保护电路中的高边或低边开关，确保系统的安全性和可靠性。
　　其良好的热性能和宽工作温度范围也使其适用于高温或低温环境下工作的工业控制系统和车载电源模块。

Si4435BDY-T1-GE3, AO4406A, FDS6680, NCEP120N10AL