型号：NBPDANN150PAUNV
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　产品类型：AC-DC 反激控制器
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　控制模式：电流模式控制
　　启动电压：典型值16 V
　　工作电压范围：8.5 V 至 22 V
　　最大开关频率：65 kHz ± 4 kHz
　　静态电流：小于1 mA（典型值）
　　反馈输入类型：光耦反馈（光耦合器接口）
　　内置高压启动电流源：支持快速启动
　　保护功能：过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、短路保护（SCP）
　　封装类型：SOIC-8 或 DIP-8（具体取决于版本）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：8 引脚
　　是否集成MOSFET：否（需外接功率MOSFET）
　　待机功耗：小于75 mW（满足六级能效要求）
　　调制方式：PWM 调制，带频率抖动功能
　　电流检测阈值：典型值1 V（前沿消隐内置）

NBPDANN150PAUNV具备多项先进特性，使其成为高性能AC-DC电源设计的理想选择。首先，它集成了一个高压电流源，可在上电时直接从整流后的高压母线为VCC电容充电，从而实现“无辅助绕组”的自启动功能，这不仅减少了变压器设计的复杂性，也降低了整体系统成本。其次，该控制器采用准谐振（Quasi-Resonant, QR）或断续导通模式（DCM）运行策略，在保证高效转换的同时优化了开关损耗与EMI性能。其内置的频率抖动技术通过轻微调制开关频率来扩散能量频谱，显著降低传导和辐射EMI，有助于轻松通过CISPR32等电磁兼容标准测试。
　　该器件还配备了全面的保护机制。例如，过压保护（OVP）可监测输出电压异常情况并及时关闭驱动信号；过温保护（OTP）通过内部温度传感器监控芯片结温，当超过安全阈值时自动进入打嗝模式；短路保护（SCP）则在负载发生短路时限制输出功率，防止损坏外部元件。此外，前沿消隐（Leading Edge Blanking, LEB）功能有效抑制了功率MOSFET导通瞬间产生的电流尖峰误触发，提高了系统的稳定性。
　　在能效方面，NBPDANN150PAUNV支持多种轻载管理技术，如脉冲跳跃模式（Burst Mode）和动态频率调整，使得在低输出功率条件下仍能保持高效率，特别适合待机功耗敏感的应用。其电流模式控制架构提供了良好的线路和负载瞬态响应能力，并可通过外部补偿网络灵活调节环路稳定性。总体而言，这款控制器在集成度、可靠性与性价比之间取得了良好平衡，适用于中小功率离线式电源设计。

NBPDANN150PAUNV广泛应用于各类需要将交流市电转换为稳定直流电压的场合。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电器适配器，尤其是输出功率在15W至65W之间的通用USB充电器设计。由于其高集成度和低待机功耗特性，该芯片也非常适合用于智能家居设备中的电源模块，如无线路由器、智能音箱、IP摄像头和机顶盒等产品，帮助制造商满足日益严格的全球能效法规要求。
　　在工业领域，NBPDANN150PAUNV可用于工业传感器、PLC（可编程逻辑控制器）电源、继电器模块及小型电机驱动器的辅助电源设计。其宽温工作范围和强健的保护机制确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。此外，该控制器还可用于LED照明驱动电源，特别是在需要恒压输出的LED灯条或面板灯应用中表现优异。凭借其出色的EMI抑制能力和小尺寸封装，NBPDANN150PAUNV有助于实现更紧凑、更安静的照明解决方案。
　　对于医疗设备中的低功耗辅助电源，该芯片同样适用，尤其是在对电气隔离和安全性有较高要求的IEC 60601认证产品中。由于其支持光耦反馈回路，能够实现精确的输出电压调节和可靠的隔离反馈机制，因此在需要高精度稳压的场合具有明显优势。总之，NBPDANN150PAUNV是一款用途广泛的AC-DC控制器，适用于对效率、成本和可靠性均有较高要求的中低端电源系统设计。

NCP1361BDR2G
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